| Halbleiter A | Halbleiter B |
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| Halbleiter A | Halbleiter B |
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Ein A-B-Kontakt kann hochpräzise durch Epitaxie hergestellt werden. Die Gitterkonstanten sind sehr (!) ähnlich und die entstehende Bandstruktur hängt von der jeweiligen Austrittsarbeit ab.
Ähnlich bei Metall-Oxid-Halbleiter-Grenzfläche (MOS). Dann liegt ein Elektronengas in dünner (zweidimensionaler) Grenzschicht vor (Quantenfilme, Quantum Wells).
Die Zustände in z-Richtung sind quantisiert (x, y wie gehabt).
Elektronen sind hochbeweglich. In undotierten Halbleitern sind geladene Donatoren räumlich getrennt. Dies wird auch öfter durch modulationsdotierte Übergitter ermöglicht:
