Kapitel 8
Halbleiter


  8.0.1 Bandstrukturen
 8.1 Intrinsische (undotierte) Halbleiter
 8.2 Dotierte Halbleiter
  8.2.1 Ladungsträgerkonzentration in (teilweise kompensiertem) n-Halbleiter
 8.3 Inhomogene Halbleiter
  8.3.1 p-n-Übergang
  8.3.2 Bänderschema
  8.3.3 Anwendungen des p-n-Übergangs
 8.4 Halbleiterheterostrukturen
  8.4.1 Halbleiter-Injektions-Laser
 8.5 Quantenhalleffekt
  8.5.1 Zweidimensionales Elektronengas (2 DEG)

8.0.1 Bandstrukturen

Beispiele:








H He








Li Be B C N O F Ne








Na Mg Al Si P S Ar








Ca Ga Ge As Se








Sr In Sn Sb Te








Pb








Fassen wir einige Eigenschaften in folgender Tabelle zusammen:




Element Eg (T ==)






Si 1,17eV indirekt
Ge 0,75eV indirekt
GaAs 1,52eV direkt
InSb 0,24eV direkt
CdS 2,58eV direkt
Te 0,33eV direkt
GaP